Напівпровідникові мішені для розпилення

Chalco постачає високочисті металеві та металеві сплави для виготовлення пластин для ІС, силових напівпровідників, MEMS та передової упаковки. Система матеріалів може бути обрана відповідно до нанесеної плівки, PVD-обладнання, вимог до чистоти та структури мішені. Доступні матеріали для напівпровідникових мішеней для розпилення включають:

• Мішені з мідних і мідних сплавів: Cu, CuMn
• Цілі з алюмінієвого та алюмінієвого сплаву: Al, AlCu, AlSi, AlSiCu
• Титанові мішені: Ti
• Танталові мішені: Та
• Цілі з вольфрамового та вольфрамового сплаву: W, WTi, WSi
• Кобальтові цілі: Co
• Нікелеві мішені: Ni

Мішені можуть використовуватися для шарів з'єднання, насіння, бар'єру, адгезії, контакту та затворів, а також електродів і передової металізації упаковки. Доступні монолітні мішені, зв'язані мішені та мішені з підкладними пластинами, які можуть бути оброблені за моделями обладнання, існуючими номерами деталей або кресленнями замовника.

Надішліть свій цільовий креслення, модель обладнання або існуючий номер деталі для відповідності матеріалу та кошторису.

Зв'яжіться з нами

Ключові переваги Chalco для напівпровідникових мішеней для розпилення

Висока чистота для зменшення ризику забруднення тонкоплівками

Чистота мішені може досягати 6N, тоді як деякі мішені з алюмінієвого та алюмінієвого сплаву доступні до 5N5. Це допомагає знизити ризик потрапляння домішок у відкладену плівку та підтримує її електричну продуктивність і стабільність процесу.

Дрібнозерниста структура для стабільного напилення

Середній розмір зерен мідних і титанових мішеней можна контролювати з точністю до 20 мкм, з максимальним розміром зерна 100 мкм. Середній розмір зерен танталових мішеней не перевищує 50 мкм. Дрібна та рівномірна структура зерен допомагає підтримувати стабільні темпи розпилення та розподіл товщини плівки.

Однорідний склад сплаву для зменшення варіацій плівки

Доступні мішені для сплаву включають AlSi 1%Si, AlCu 0,5%Cu, AlSiCu 1%Si + 0,5%Cu, WTi 5%-25%Ti та WSi 20%-40%Si. Рівномірний розподіл елементів допомагає підтримувати послідовний склад відкладеної плівки.

Контрольована багатофазна мікроструктура

Середній розмір W-фази в мішенях WTi можна контролювати з точністю до 5 мкм, з максимальним розміром 15 мкм. У мішенях WSi середній розмір силициду не перевищує 20 мкм, а середній розмір кремнієвих частинок не перевищує 10 мкм. Це допомагає зменшити вплив локальних мікроструктурних варіацій на стійкість розпилення.

Сумісність з різними платформами виробництва пластин

Мішені доступні для платформ для виготовлення пластин діаметром 6, 8 та 12 дюймів. Розміри, монтажні конструкції та рішення для підкладки можна зіставити з моделлю обладнання PVD, наявним номером деталі або кресленням замовника.

Чиста упаковка та комплексна інспекція

Продукція пакується у двошарову вакуумну упаковку для зменшення окиснення та забруднення під час зберігання та транспортування. GDMS, LECO, EBSD та C-скан можна використовувати для перевірки домішок, розміру та орієнтації зерен, а також цілісності зв'язку мішень до основної пластини.

Матеріали для напівпровідникової мішені, що напилюються, доступні від Chalco

Chalco може постачати широкий спектр мішеней для розпилення металів і металевих сплавів високої чистоти. Чистота, розміри, структура зерна та склад сплаву можуть відповідати вимогам тонкоплівкового процесу та обладнання PVD.

Мішені для розпилення мідних і мідних сплавів

Матеріали: Cu, CuMn

Чистота: 6N

Розміри: 6 дюймів, 8 дюймів, 12 дюймів

Мішені для розпилення алюмінієвих та алюмінієвих сплавів

Матеріали: Al, AlCu, AlSi, AlSiCu

Чистота: до 5N5

Розміри: 6 дюймів, 8 дюймів, 12 дюймів

Титанові мішені, що розпилюються

Чистота: ≥5N

Розмір: 8 дюймів

Розмір зерна: середній ≤20 мкм, максимальний ≤100 мкм

Танталові мішені, що захлипують

Матеріал: Та

Чистота: ≥5N

Розмір зерна: середній ≤50 мкм, максимальний ≤100 мкм

Мішені для розпилення з вольфрамового та вольфрамового сплаву

Матеріали: W, WTi, WSi

Чистота: ≥5N

Розмір зерна Вт: середній ≤100 мкм, максимальний ≤200 мкм

Нікелеві мішені, що розпилюються

Матеріал: Ni

Чистота: 4N

Розмір: 8 дюймів

Матеріал: Co

Чистота: ≥5N

Мікроструктура: рівновісна або некристалізована структура

контакт**

Застосування напівпровідникових мішеней для розпилення

Високочисті металеві та сплавні мішені для розпилення можуть використовуватися для тонкоплівкового осадження металу у виготовленні пластин, пакуванні чіпів та різних напівпровідникових пристроях, включно з шарами з'єднання, насіння, бар'єру та контакту, електродами та металізацією зворотної сторони. Для електронних з'єднань на рівні корпусу після тонкоплівкового осадження Chalco також постачає матеріали для з'єднання кристалів до упаковки, включно з напівпровідниковими з'єднувальними дротами та напівпровідниковою стрічкою.

Вибір цільових матеріалів за функцією плівки

Різні металеві мішені мають різні характеристики електричної провідності, дифузійного бар'єра, адгезії, температурної здатності та контактних характеристик. Вибір має базуватися на плівці та конструкції пристрою.

Остаточний вибір також повинен враховувати тип підкладки, температуру осадження, товщину плівки, обладнання PVD та подальші процеси. Після надання цільової плівки, моделі обладнання або існуючого креслення можна підібрати відповідну систему матеріалів.

Форми та структури мішеней напівпровідникової напівпровідникової напівпровідникової

Chalco може поєднувати монолітні напівпровідникові мішені або мішені з підкладними пластинами відповідно до матеріалу мішені, обладнання PVD, робочої потужності та конфігурації охолодження.

Круглі планарні цілі

Круглі планарні мішені доступні для систем обробки пластин діаметром 6, 8 та 12 дюймів . Діаметр, товщина, положення отворів, сходинки та інтерфейси кріплення можна обробляти за кресленнями.

Монолітні цілі

Мішень обробляється як невід'ємний компонент з одного металу або сплаву. Ця конструкція підходить для мішеней Cu, CuMn, Al, а також деяких мішеней з алюмінієвого сплаву і зменшує залежність від інтерфейсу з'єднання мішень до підкладки пластини.

Мішені з підкладними пластинами

Мішень може бути з'єднана з підкладною плитою для підтримки монтажу, охолодження та стабільності експлуатації. Матеріал підкладної плити, товщина та структура охолодження підтверджені кресленням обладнання.

Множинні методи з'єднання

Залежно від вимог до матеріалу та обладнання, EB, SB, FSW, DB або HIP можуть використовуватися для з'єднання мішені з підкладкою, а C-скан — для перевірки цілісності зв'язку.

Налаштування за моделлю обладнання або наявним цільовим номером деталі

Розміри мішені, конструкція кріплення, підкладна плита та метод з'єднання можуть бути зіставлені з моделлю обладнання PVD, наявним номером деталі, поточним зразком або кресленням клієнта.

Можливості налаштування Chalco для напівпровідникових мішеней для розпилення

• Варіанти матеріалів: доступні цільові матеріали Cu, CuMn, Al, AlCu, AlSi, AlSiКу, Ті, Ta, Co, Ni, W, WTi та WSi.
• Контроль чистоти: Класи чистоти підбираються відповідно до вимог до продуктивності плівки та процесу осадження з контролем критичних елементів домішок.
• Склад сплаву: Пропорції Mn, Si, Ку, Ті та інших легуючих елементів можна підтвердити на основі специфікацій продукції та вимог до процесу.
• Розміри: Поширені розміри охоплюють 6, 8 і 12 дюймів. Точний зовнішній діаметр, товщина та конструкція підтверджені на малюнках.
• Структура зерна: Розмір зерен, кристалографічна орієнтація та багатофазна мікроструктура можна контролювати залежно від типу матеріалу.
• Структура мішені: Доступні монолітні мішені та збірки пластин мішень до задньої частини.
• Метод з'єднання: FSW, DB, HIP, SB або EB можна обирати відповідно до вимог до матеріалу та конструкції.
• Основа налаштування: Виробничий план можна визначити за цільовими кресленнями, технічними вимогами, інформацією про обладнання або наявним зразком.

Після отримання цільового матеріалу, чистоти, розмірів і конструктивних вимог ми можемо підтвердити відповідний план налаштування та надати кошторис.

Сучасне обладнання підтримує стабільне виробництво мішеней

Від очищення, плавлення та формування сировини до точної обробки, з'єднання та інспекції — повне обладнання підтримує контроль чистоти мішеней напівпровідників, мікроструктури, розмірів і консистенції від партії до партії.

• Обладнання для очищення та магнітної левітації: використовується для високочистого очищення, плавлення та легування металів з метою зменшення забруднення під час плавлення та покращення однорідності складу сплавів.
• Обладнання для очищення зерен і термічної обробки IPAS: Контролює цільовий розмір зерен, кристалографічну орієнтацію та мікроструктурну однорідність для відповідності різним вимогам процесу тоноплівкового осадження.
• Обладнання для прокатного та ізостатичного пресування: Покращує внутрішню щільність і мікроструктурну консистенцію, знижуючи ризик пор, включень і локалізованих мікроструктурних варіацій.
• ЧПУ та точне точкове обладнання: Обробляють зовнішній діаметр, товщину та особливості з'єднання цілі. Точність інспекції ШКМ може досягати 0,001 мм, що забезпечує точне встановлення цілей у обладнанні.
• Обладнання для з'єднання FSW та DB: З'єднує мішень із підкладною пластиною відповідно до матеріалу та конструкції мішені, покращуючи цілісність і стабільність з'єднаної ділянки.
• Автоматизована лінія очищення: Працює з системою ультрачистої води для очищення, сушіння та очищення з метою зменшення частинок, олії та поверхневих залишків.
• ICP-MS та XRF: використовуються для тестування чистоти, слідових домішок і складу сплаву. Точність детекції ICP-MS може досягати 0,001 ppb.
• Обладнання для електронної мікроскопії та інспекції мікроструктур: досліджує структуру зерна, мікроструктуру та стан поверхні, надаючи дані для термомеханічної обробки та контролю зерен.
• Обладнання для інспекції C-сканування: Оглядає з'єднану зону з'єднаних мішень для виявлення незв'язаних областей, порожнеч та інших внутрішніх аномалій.
• Тестатори шорсткості поверхні та вакуумне пакування: контролюють якість поверхні мішені та використовують вакуумну упаковку для зниження ризиків забруднення та окислення під час зберігання та транспортування.

Виробничий процес виробництва мішені Chalco з напиленням напівпровідників

Chalco розробляє відповідні процеси очищення, формування, контролю мікроструктури та точної обробки для кожної металевої та сплавної мішені, що забезпечує послідовний контроль чистоти мішені, структури зерен, розмірів і якості зв'язку мішень до основної пластини.

Підготовка сировини

Для виробництва мідних мішеней мідь з високою чистотою для напівпровідникових мішеней може бути обирана відповідно до необхідного цільового сорту, рівня чистоти та критичних меж домішок. Для інших систем з металів і сплавів Chalco відбирає сировину відповідно до відповідного цільового сорту, рівня чистоти та співвідношення сплаву, а також визначає необхідні умови контролю домішок.

Плавлення та формування

Для приготування заготовок заготовок використовуються процеси плавлення, лиття або порошкового формування, підібрані до матеріалу, з контролем складу сплаву, внутрішньої густини та мікроструктурної однородності.

Термомеханічна обробка та контроль мікроструктури

Для покращення цільового розміру зерен, кристалографічної орієнтації та мікроструктури використовуються процеси прокатки, термічної обробки та очищення зерен.

Точна обробка

Chalco використовує точкову обробку, різання та точну обробку з CNC для отримання зовнішнього діаметра, товщини та монтажних особливостей цільової установки, щоб розміри відповідали кресленню замовника.

З'єднання мішень до задньої пластини

FSW, DB, HIP, SB або EB обираються відповідно до цільового матеріалу та конструктивних вимог.

Чисте прання

Очищення, полоскання та сушіння видаляють залишки обробки, олію та поверхневі частинки, знижуючи ризик забруднення під час монтажу.

Фінальна перевірка

Chalco перевіряє чистоту мішені, хімічний склад, структуру зерна, точність розмірів, якість поверхні та стан зв'язків.

Вакуумне пакування

Після огляду мішені щільно упаковують і герметизують у двошаровому вакуумному пакуванні для зменшення окислення, впливу вологи та забруднення під час транспортування та зберігання.

Chalco застосовує контроль якості на всьому процесі — від вибору сировини до фінального пакування, щоб постачати напівпровідникові мішені для розпилення з послідовною чистотою, рівномірною мікроструктурою та контрольованою точністю обробки.

Інформація, необхідна для отримання котирування

Щоб допомогти Chalco швидко підтвердити цільовий матеріал, конструкцію та виробничий план, будь ласка, надайте наступну інформацію у своєму запиті:

• Цільовий матеріал: Cu, CuMn, Al, AlCu, AlSi, AlSiКу, Ті, Ta, Co, Ni, W, WTi або WSi.
• Вимоги до чистоти: цільові елементи класу чистоти та домішки, що потребують особливого контролю.
• Розміри: зовнішній діаметр цілі, товщина, розміри підкладної плити, положення отворів та інші монтажні особливості.
• Структура мішені: монолітна мішень або збірка мішень до задньої частини.
• Метод зв'язування: якщо вказано, вкажіть FSW, DB, HIP, SB або EB.
• Вимоги до мікроструктури: розмір зерен, кристалографічна орієнтація, щільність або вимоги до багатофазної мікроструктури.
• Інформація про застосування: цільова плівка, розмір пластини, тип напівпровідникового пристрою та процес осадження.
• Інформація про обладнання: модель обладнання PVD, існуючий номер деталі цілі або поточний креслення цілі.
• Вимоги до інспекції: необхідний склад, чистота, структура зерна, розміри або якості інспекції для об'єднання.
• Кількість замовлення: Кількість на замовлення, орієнтовний річний попит і очікуваний час виконання.

Після отримання креслення, наявної цільової специфікації або інформації про обладнання, Chalco може ефективніше завершити технічну оцінку та надати відповідне рішення для цілі та пропозицію.

Зв'яжіться з нами

Поширені запитання щодо напівпровідникової мішені, що розпилюється

Які напівпровідникові мішені матеріали може надати Chalco?

Chalco може постачати метали та сплави високої чистоти в Cu, CuMn, Al, AlCu, AlSi, AlSiКу, Ті, Ta, Co, Ni, W, WTi та WSi.

Які рівні чистоти доступні для напівпровідникових мішеней?

Рівні чистоти варіюються залежно від матеріалу і можуть сягати до 6N. Точні вимоги до чистоти та критичного контролю домішок мають бути підтверджені відповідно до цільового матеріалу та процесу тонкоплівки.

Які поширені розміри доступні?

Доступні технічні характеристики охоплюють 6, 8 і 12 дюймів. Цільовий зовнішній діаметр, товщина та конструкція кріплення можна підтвердити за кресленням замовника.

Чи доступні монолітні цілі та цілі з підкладними пластинами?

Так. Chalco може постачати монолітні мішені або збірки пластин «мішень до задньої частини» відповідно до вимог матеріалу та обладнання.

Як слід обирати цільовий матеріал?

При виборі слід враховувати функцію цільової плівки, підкладку, процес осадження, обладнання PVD та подальші процеси. Після отримання інформації про застосування Chalco може допомогти підібрати відповідний матеріал.

Чи можна налаштувати цілі під існуючий креслення?

Так. Замовники можуть надати креслення цілі, технічні вимоги, модель обладнання або існуючу специфікацію для підтвердження матеріалу, розмірів, мікроструктури та конструктивного рішення.

Які інспекції проводяться перед відправкою?

Чистота, хімічний склад, структура зерна, розміри, стан поверхні та якість зв'язку мішені до основної пластини можна перевіряти відповідно до вимог до продукту.

Як упаковані цілі?

Після очищення та огляду мішені запаковують у двошарову вакуумну упаковку для зменшення впливу вологи, окислення та зовнішнього забруднення під час зберігання та транспортування.