Chalco liefert hochreine Metall- und Metalllegierungs-Sputtertargets für IC-Wafer-Fertigung, Leistungshalbleiter, MEMS und fortschrittliche Verpackungen. Das Materialsystem kann entsprechend dem eingesandten Film, PVD-Ausrüstung, Reinheitsanforderungen und Zielstruktur ausgewählt werden. Verfügbare Halbleiter-Sputter-Zielmaterialien umfassen:
- Kupfer- und Kupferlegierungsziele: Cu, CuMn
- Ziele aus Aluminium und Aluminiumlegierung: Al, AlCu, AlSi, AlSiCu
- Titanziele: Ti
- Tantal-Ziele: Ta
- Wolfram- und Wolframlegierungsziele: W, WTi, WSi
- Kobaltziele: Co
- Nickel-Ziele: Ni
Die Ziele können für Verbindungs-, Saat-, Barrieren-, Adhäsions-, Kontakt- und Gate-Schichten sowie für Elektroden und fortschrittliche Verpackungsmetallisierung verwendet werden. Monolithische Targets, gebundene Targets und Targets mit Rückenplatten sind verfügbar und können nach Gerätemodellen, bestehenden Teilenummern oder Kundenzeichnungen bearbeitet werden.
Senden Sie Ihre Zielzeichnung, Ihr Gerätemodell oder Ihre bestehende Zielteilenummer zur Materialabstimmung und einem Kostenvoranschlag.
Chalcos zentrale Vorteile für Halbleiter-Sputtertargets
Hohe Reinheit zur Reduzierung von Dünnschicht-Kontaminationsrisiken
Die Zielreinheit kann bis zu 6N erreichen, während einige Aluminium- und Aluminiumlegierungsziele bis zu 5N5 erhältlich sind. Dies hilft, das Risiko von Verunreinigungen in die abgeschiedene Folie zu verringern und unterstützt seine elektrische Leistung sowie Prozessstabilität.
Feinkörnige Struktur für stabiles Sputtern
Die durchschnittliche Korngröße von Kupfer- und Titanzielen kann bis auf 20 μm kontrolliert werden, mit einer maximalen Korngröße von 100 μm. Die durchschnittliche Korngröße von Tantal-Zielen überschreitet nicht 50 μm. Eine feine und gleichmäßige Kornstruktur hilft, stabile Stotterraten und die Verteilung der Filmdicke zu gewährleisten.
Gleichmäßige Legierungszusammensetzung zur Verringerung der Filmvariation
Verfügbare Legierungsziele umfassen AlSi 1 %, AlCu 0,5 % Cu, AlSiCu 1 % Si + 0,5 % Cu, WTi 5 %-25 % Ti und WSi 20 %-40 % Si. Eine gleichmäßige Elementverteilung trägt dazu bei, eine konstante Zusammensetzung des abgelagerten Films aufrechtzuerhalten.
Kontrollierte Mehrphasenmikrostruktur
Die durchschnittliche W-Phasengröße in WTi-Zielen kann bis auf 5 μm kontrolliert werden, mit einem Maximum von 15 μm. In WSi-Zielen überschreitet die durchschnittliche Silizidgröße 20 μm nicht, und die durchschnittliche Siliziumpartikelgröße überschreitet 10 μm nicht. Dies hilft, den Einfluss lokaler mikrostruktureller Variationen auf die Sputterstabilität zu verringern.
Kompatibilität mit verschiedenen Wafer-Fertigungsplattformen
Zielscheiben sind für 6-, 8- und 12-Zoll-Wafer-Fertigungsplattformen erhältlich. Abmessungen, Montagestrukturen und Rückplattenlösungen können dem PVD-Gerätemodell, der bestehenden Zielteilenummer oder der Kundenzeichnung zugeordnet werden.
Saubere Verpackung und umfassende Inspektion
Die Produkte werden in doppelschichtige Vakuumverpackungen verpackt, um Oxidation und Verunreinigung während der Lagerung und des Transports zu reduzieren. GDMS, LECO, EBSD und C-Scan können verwendet werden, um Verunreinigungen, Korngröße und -ausrichtung sowie die Integrität der Plattenbindungen zwischen Ziel und Rückseite zu inspizieren.
Halbleiter-Sputter-Zielmaterialien, erhältlich bei Chalco
Chalco kann eine Reihe von hochreinen Metall- und Metalllegierungs-Sputtertargets liefern. Reinheit, Abmessungen, Kornstruktur und Legierungszusammensetzung können an den Anforderungen des Dünnschichtverfahrens und PVD-Ausrüstung angepasst werden.
Kupfer- und Kupferlegierungs-Sputterziele
Materialien: Cu, CuMn
Reinheit: 6N
Größen: 6 Zoll, 8 Zoll, 12 Zoll
Aluminium- und Aluminiumlegierungs-Sputterziele
Materialien: Al, AlCu, AlSi, AlSiCu
Reinheit: bis zu 5N5
Größen: 6 Zoll, 8 Zoll, 12 Zoll
Titan-sputternde Ziele
Reinheit: ≥5N
Größe: 8 Zoll
Korngröße: durchschnittlich ≤20 μm, maximal ≤100 μm
Tantal-Sputter-Ziele
Material: Ta
Reinheit: ≥5N
Korngröße: durchschnittlich ≤50 μm, maximal ≤100 μm
Wolfram- und Wolframlegierungs-Sputterziele
Materialien: W, WTi, WSi
Reinheit: ≥5N
W-Korngröße: durchschnittlich ≤100 μm, maximal ≤200 μm
Nickel-Sputter-Ziele
Material: Ni
Reinheit: 4N
Größe: 8 Zoll
Material: Co
Reinheit: ≥5N
Mikrostruktur: Equiax- oder unrekristallisierte Struktur
Kontakt**
Anwendungen von Halbleiter-Sputterzielen
Hochreinmetall- und Legierungssputtertargets können für die Metall-Dünnschichtabscheidung in der Waferfertigung, Chipverpackung und verschiedenen Halbleiterbauelementen verwendet werden, darunter Verbindungs-, Saat-, Barrieren- und Kontaktschichten, Elektroden und Backside-Metallisierung. Für elektrische Verbindungen auf Gehäuseebene über die Dünnschichtabscheidung hinaus liefert Chalco auch Die-zu-Packaging-Bindungsmaterialien, darunter Halbleiter-Bindungsdraht und Halbleiter-Bonding-Band.
IC-WaferfertigungVerwendet für Verbindungs-, Seed-, Barrier-, Adhäsion- und Kontaktschichten sowie für Gate-Metallisierung in Logikchips, Speicherchips und anderen integrierten Schaltkreisen.
Halbleiter- und fortschrittliche VerpackungVerwendet für UBM, RDL, TSV, TGV, Bumps und Metallisierung von Gehäuse-Substrat, wodurch elektrische Leitfähigkeit, Haftung und Diffusionsbarrieren innerhalb von Chip- und Gehälsesstrukturen bereitgestellt werden.
LeistungshalbleiterVerwendet für frontseitige Elektroden, Backside-Metallisierung und Kontaktschichten in IGBTs, MOSFETs, Leistungsdioden und Leistungsmodulen, um Hochstrom- und Hochtemperaturbetriebsanforderungen zu erfüllen.
5G-RF-GeräteVerwendet für Elektroden-, Leitschicht- und Funktionsfilmabscheidung in 5G-Filtern, HF-Frontends, HF-Chips und anderen Hochfrequenzgeräten.
Halbleiter der dritten GenerationVerwendet für ohmsche Kontakte, Elektroden, Adhäsionsschichten, Barriereschichten und Backside-Metallisierung in Halbleiterbauelementen der dritten Generation wie GaN- und SiC-Bausteine.
Auswahl der Zielmaterialien nach Filmfunktion
Verschiedene Metallziele bieten unterschiedliche Eigenschaften hinsichtlich elektrischer Leitfähigkeit, Diffusionsbarriereleistung, Haftung, Temperaturfähigkeit und Kontaktleistung. Die Auswahl sollte auf dem Zielfilm und der Bausteinstruktur basieren.
| Filmfunktion | Gemeinsame Zielmaterialien | Auswahlüberlegungen |
| Verbindungs- und leitfähige Schichten | Cu, CuMn, Al, AlCu, AlSi, AlSiCu | Elektrische Leitfähigkeit, Legierungszusammensetzung und Filmgleichmäßigkeit |
| Samenablage | Cu, Ti | Filmkontinuität, Haftung und Kompatibilität mit der anschließenden Galvanisierung |
| Barrieren- und Innenlagen | Ta, Ti, WTi | Leistung der Diffusionsbarriere, Schnittstellenstabilität und Temperaturfähigkeit |
| Adhäsionsschicht | Ti, WTi | Bindungsleistung mit dem Substrat und dem darüber liegenden Metall |
| Kontaktschichten und -gates | W, WSi, Co, Ni | Kontaktwiderstand, thermische Stabilität und Mikrostruktur |
| Elektroden und Backside-Metallisierung | Al, AlCu, AlSiCu, Ti, Ni | Elektrische Leitfähigkeit, Bindbarkeit und Zuverlässigkeit bei erhöhten Temperaturen |
| UBM und fortschrittliche Verpackungsmetallisierung | Cu, Ti, WTi, Ni | Elektrische Leitfähigkeit, Adhäsion, Barriereleistung und thermische Zyklusstabilität |
Bei der endgültigen Auswahl sollten auch Substrattyp, Ablagerungstemperatur, Filmdicke, PVD-Ausrüstung und anschließende Prozesse berücksichtigt werden. Sobald der Zielfilm, das Ausrüstungsmodell oder die vorhandene Zielzeichnung bereitgestellt ist, kann ein geeignetes Materialsystem abgestimmt werden.
Halbleiter-Sputter-Zielformen und -strukturen
Chalco kann monolithische Halbleiter-Sputterziele oder Ziele mit Rücklagenplatten je nach Zielmaterial, PVD-Ausrüstung, Betriebsleistung und Kühlkonfiguration anpassen.
Kreisförmige planare Ziele
Kreisförmige planare Ziele sind für 6-, 8- und 12-Zoll-Wafer-Verarbeitungssysteme erhältlich. Durchmesser, Dicke, Lochpositionen, Schritte und Montageflächen können nach Zeichnungen bearbeitet werden.
Monolithische Ziele
Das Ziel wird als integrale Komponente aus einem einzelnen Metall oder einer Legierung gefertigt. Diese Struktur ist geeignet für Cu-, CuMn-, Al- und einige Aluminiumlegierungsziele und verringert die Abhängigkeit von einer Ziel-zu-Rücken-Platten-Bindungsgrenze.
Ziele mit Rückenplatten
Das Ziel kann mit einer Rückplatte befestigt werden, um Installation, Kühlung und Betriebsstabilität zu unterstützen. Material der Rückerplatten, Dicke und Kühlstruktur werden anhand der Gerätezeichnung bestätigt.
Mehrfache Bindungsmethoden
Je nach Material- und Geräteanforderungen können EB, SB, FSW, DB oder HIP verwendet werden, um das Ziel an die Rückenplatte zu befestigen, und C-Scan kann zur Inspektion der Bindungsintegrität eingesetzt werden.
Anpassung nach Ausrüstungsmodell oder bestehender Zielteilenummer
Zielmaße, Montagestruktur, Rückenplatte und Haftmethode können dem PVD-Gerätemodell, der bestehenden Zielteilnummer, dem aktuellen Muster oder der Kundenzeichnung zugeordnet werden.
Chalcos Anpassungsmöglichkeiten für Halbleiter-Sputter-Ziele
- Materialoptionen: Cu, CuMn, Al, AlCu, AlSi, AlSiCu, Ti, Ta, Co, Ni, W, WTi und WSi Zielmaterialien sind verfügbar.
- Reinheitskontrolle: Reinheitsgrade werden an die Filmleistung und die Anforderungen des Ablagerungsprozesses angepasst, wobei kritische Verunreinigungselemente kontrolliert werden.
- Legierungszusammensetzung: Die Anteile von Mn, Si, Cu, Ti und anderen Legierungselementen können anhand von Produktspezifikationen und Prozessanforderungen bestätigt werden.
- Maße: Übliche Größen umfassen 6, 8 und 12 Zoll. Der genaue Außendurchmesser, die Dicke und die Struktur werden anhand von Zeichnungen bestätigt.
- Getreidestruktur: Korngröße, kristallographische Ausrichtung und mehrphasige Mikrostruktur können je nach Materialtyp gesteuert werden.
- Zielstruktur: Monolithische Ziele und Ziel-zu-Rücken-Platten-Baugruppen sind verfügbar.
- Haftmethode: FSW, DB, HIP, SB oder EB können je nach Material- und Strukturanforderungen ausgewählt werden.
- Anpassungsgrundlage: Der Produktionsplan kann anhand von Zielzeichnungen, technischen Anforderungen, Geräteinformationen oder einer bestehenden Probe bestimmt werden.
Nach Erhalt des Zielmaterials, der Reinheit, der Maße und der strukturellen Anforderungen können wir einen geeigneten Anpassungsplan bestätigen und ein Angebot erstellen.
Fortschrittliche Ausrüstung unterstützt eine konstante Zielproduktion
Von der Rohmaterialreinigung sowie dem Schmelzen und Formen bis hin zur Präzisionsbearbeitung, Verklebung und Inspektion unterstützt ein vollständiges Gerätesystem die Kontrolle der Halbleiter-Zielreinheit, der Mikrostruktur, der Abmessungen und der Konsistenz von Charge zu Charge.
- Reinigungs- und magnetische Levitations-Schmelzgeräte: Verwendet für hochreine Metallreinigung, Schmelzen und Legierung, um Verunreinigungen während des Schmelzens zu reduzieren und die Gleichmäßigkeit der Legierungszusammensetzung zu verbessern.
- IPAS-Kornraffinierungs- und Wärmebehandlungsanlagen: Regelt Zielkorngröße, kristallographische Ausrichtung und mikrostrukturelle Gleichmäßigkeit, um unterschiedliche Anforderungen an Dünnschichtabscheidungsprozesse zu erfüllen.
- Walz- und isostatische Pressanlage: Verbessert die innere Dichte und mikrostrukturelle Konsistenz, wodurch das Risiko von Poren, Einschlüssen und lokaler mikrostruktureller Variation reduziert wird.
- CNC- und Präzisionsdrehgeräte: Bearbeiten das Ziel außerhalb von Durchmesser, Dicke und Verbindungsmerkmalen. Die CMM-Inspektionsgenauigkeit kann bis zu 0,001 mm reichen, was eine präzise Zielinstallation in der Ausrüstung unterstützt.
- FSW- und DB-Haftgeräte: Binden das Ziel entsprechend dem Zielmaterial und der Struktur an die Rückenplatte und verbessern so die Integrität und Stabilität des verbundenen Bereichs.
- Automatisierte Reinigungslinie: Funktioniert mit einem ultrareinen Wassersystem zur Reinigung, Trocknung und sauberen Verarbeitung, um Partikel, Öl und Oberflächenrückstände zu reduzieren.
- ICP-MS und XRF: Verwendet zur Prüfung von Reinheit, Spurenverunreinigungen und Legierungszusammensetzung. Die Erkennungsgenauigkeit von ICP-MS kann 0,001 ppb erreichen.
- Elektronenmikroskopie- und Mikrostrukturinspektionsgeräte: Untersucht Kornstruktur, Mikrostruktur und Oberflächenzustand und liefert Daten für thermomechanische Verarbeitung und Kornkontrolle.
- C-Scan-Inspektionsgeräte: Inspiziert den gebundenen Bereich der gebundenen Ziele, um ungebundene Bereiche, Hohlräume und andere interne Anomalien zu identifizieren.
- Oberflächenrauheitstester und Vakuumverpackungsgeräte: Kontrollieren Sie die Oberflächenqualität, zielen Sie die Oberflächenqualität und verwenden Sie Vakuumverpackungen, um Kontaminations- und Oxidationsrisiken während der Lagerung und des Transports zu reduzieren.
Produktionsprozess des Chalco-Halbleiter-Sputterziels
Chalco entwickelt geeignete Reinigungs-, Form-, Mikrostrukturkontroll- und Präzisionsbearbeitungsverfahren für jedes Metall- und Legierungsziel, was eine konsistente Kontrolle der Zielreinheit, der Kornstruktur, der Abmessungen und der Qualität der Bindung von Ziel zu Rückplatte ermöglicht.
Rohstoffaufbereitung
Für die Herstellung von Kupferzielen kann hochreines Kupfer für Halbleiterziele entsprechend dem erforderlichen Zielgrad, Reinheitsniveau und kritischen Verunreinigungsgrenzen ausgewählt werden. Für andere Metall- und Legierungszielsysteme wählt Chalco die Rohstoffe entsprechend dem entsprechenden Zielgrad, Reinheitsniveau und Legierungsverhältnis aus und definiert die erforderlichen Verunreinigungskontrollbedingungen.
Schmelzen und Formen
Schmelz-, Gieß- oder Pulverformverfahren, die auf das Material abgestimmt sind, werden zur Herstellung von Zielrohlingen verwendet, wobei die Legierungszusammensetzung, innere Dichte und mikrostrukturelle Gleichmäßigkeit kontrolliert werden.
Thermomechanische Verarbeitung und Mikrostruktursteuerung
Walzen-, Wärmebehandlungs- und Kornveredelungsverfahren werden eingesetzt, um die Zielkorngröße, kristallographische Ausrichtung und Mikrostruktur zu verbessern.
Präzisionsbearbeitung
Chalco verwendet Drehen, Schneiden und CNC-Präzisionsbearbeitung, um den äußeren Durchmesser, die Dicke und die Befestigungsmerkmale des Ziels so herzustellen, dass die Maße mit der Kundenzeichnung übereinstimmen.
Ziel-zu-Rückplatten-Bindung
FSW, DB, HIP, SB oder EB werden entsprechend dem Zielmaterial und den strukturellen Anforderungen ausgewählt.
Saubere Wäsche
Reinigung, Spülen und Trocknen entfernen Bearbeitungsrückstände, Öl und Oberflächenpartikel und verringern so das Kontaminationsrisiko während der Installation.
Endgültige Inspektion
Chalco inspiziert die Reinheit des Ziels, die chemische Zusammensetzung, die Kornstruktur, die Maßgenauigkeit, die Oberflächenqualität und den Bindungszustand.
Vakuumverpackung
Nach der Inspektion werden die Ziele sauber verpackt und in doppelschichtiger Vakuumverpackung versiegelt, um Oxidation, Feuchtigkeitsbelastung und Verunreinigungen während des Transports und der Lagerung zu reduzieren.
Chalco wendet prozessweite Qualitätskontrolle von der Auswahl der Rohstoffe bis zur finalen Verpackung an, um Halbleiter-Sputtertargets mit gleichbleibender Reinheit, einheitlicher Mikrostruktur und kontrollierter Bearbeitungsgenauigkeit zu liefern.
Informationen, die für ein Angebot erforderlich sind
Um Chalco dabei zu helfen, das Zielmaterial, die Struktur und den Produktionsplan schnell zu bestätigen, geben Sie Ihrer Anfrage bitte folgende Informationen mit:
- Zielmaterial: Cu, CuMn, Al, AlCu, AlSi, AlSiCu, Ti, Ta, Co, Ni, W, WTi oder WSi.
- Reinheitsanforderungen: Zielreinheitsgrad und Verunreinigungselemente erfordern spezielle Kontrolle.
- Abmessungen: Ziel-Außendurchmesser, Dicke, Abmessungen der Rückplatten, Lochpositionen und weitere Befestigungsmerkmale.
- Zielstruktur: Monolithisches Ziel- oder Ziel-zu-Rücken-Platten-Aufbau.
- Bindungsmethode: Wenn angegeben, geben Sie FSW, DB, HIP, SB oder EB an.
- Anforderungen an Mikrostruktur: Anforderungen an Korngröße, kristallographische Orientierung, Dichte oder Mehrphasenmikrostruktur.
- Anwendungsinformationen: Zielfilm, Wafergröße, Halbleiterbauelement und Abscheidungsprozess.
- Geräteinformationen: PVD-Gerätemodell, bestehende Zielteilenummer oder aktuelle Zielzeichnung.
- Inspektionsanforderungen: Erforderliche Zusammensetzung, Reinheit, Maserungsstruktur, Maß- oder Haftqualitätsprüfelemente.
- Bestellmenge: Menge pro Bestellung, geschätzte jährliche Nachfrage und erwartete Vorlaufzeit.
Nach Erhalt der Zeichnung, der bestehenden Zielspezifikation oder der Geräteinformationen kann Chalco die technische Bewertung effizienter durchführen und eine entsprechende Ziellösung sowie ein entsprechendes Angebot bereitstellen.
FAQs zu Halbleiter-Sputterzielzielen
Welche Zielmaterialien für Halbleiter kann Chalco liefern?
Chalco kann hochreine Metall- und Legierungsziele in Cu, CuMn, Al, AlCu, AlSi, AlSiCu, Ti, Ta, Co, Ni, W, WTi und WSi liefern.
Welche Reinheitsstufen stehen für Halbleiterziele zur Verfügung?
Reinheitsniveaus variieren je nach Material und können bis zu 6N erreichen. Die genauen Anforderungen an Reinheit und kritische Verunreinigungskontrolle sollten entsprechend dem Zielmaterial und dem Dünnschichtverfahren bestätigt werden.
Welche gängigen Größen sind verfügbar?
Verfügbare Spezifikationen umfassen 6, 8 und 12 Zoll. Der äußere Durchmesser, die Dicke des Ziels und die Montagestruktur können anhand der Kundenzeichnung bestätigt werden.
Gibt es monolithische Ziele und Ziele mit Rückseitenplatten?
Ja. Chalco kann monolithische Ziele oder Ziel-zu-Backing-Platten-Baugruppen entsprechend Material- und Ausrüstungsanforderungen liefern.
Wie sollte das Zielmaterial ausgewählt werden?
Bei der Auswahl sollten die Zielfilmfunktion, das Substrat, den Abscheidungsprozess, die PVD-Ausrüstung und die nachfolgenden Prozesse berücksichtigt werden. Nach Erhalt der Anwendungsinformationen kann Chalco helfen, das entsprechende Material abzugleichen.
Können Ziele an eine bestehende Zeichnung angepasst werden?
Ja. Kunden können die Zielzeichnung, technische Anforderungen, Gerätemodell oder bestehende Zielspezifikation bereitstellen, um Material, Maße, Mikrostruktur und strukturelle Lösung zu bestätigen.
Welche Inspektionen werden vor dem Versand durchgeführt?
Reinheit, chemische Zusammensetzung, Kornstruktur, Abmessungen, Oberflächenzustand und die Bindequalität von Ziel-zu-Rücken-Platten können entsprechend den Produktanforderungen überprüft werden.
Wie sind die Ziele verpackt?
Nach der Reinigung und Inspektion werden die Ziele in doppelschichtiger Vakuumverpackung versiegelt, um Feuchtigkeitsexposition, Oxidation und äußere Verunreinigungen während der Lagerung und des Transports zu reduzieren.

