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Hochreines Kupfer für Halbleiterziele

Hinweis: Die Produktions-MOQ beträgt 500 kg. In China gelagerte Lagerware  für Projektbeschaffung und Großbestellungen verfügbar.

Hochreines Kupfer bezeichnet Kupfermaterial mit extrem niedrigem Verunreinigungsgehalt, typischerweise mit 5N, 6N, 7N und sogar höheren Reinheitsgraden. Im Vergleich zu Standardkupfer bietet hochreines Kupfer eine überlegene Reinheit, bessere elektrische Leitfähigkeit, geringere Restverunreinigungen und eine gleichmäßigere Leistung von Charge zu Charge, was es für Anwendungen in Halbleitern, Elektronik, Vakuumabscheidung und fortgeschrittener wissenschaftlicher Forschung geeignet macht.

Chalco liefert 5N, 6N, 7N und projektbasiertes 8N-Kupfer mit hoher Reinheit. Unsere Hauptprodukte umfassen hochreine Kupferbleche, -streifen, Barren, Zielrohlinge und Sputter-Ziele, die Chalcos breiteres Spektrum an Halbleiter-Sputter-Zielmaterialien sowie integrierte Schaltungen und fortschrittliche elektronische Materialanwendungen unterstützen.

Hochreine Kupferqualitäten

Chalco kann 5N, 6N, 7N und projektbasiertes 8N-Kupfer mit hoher Reinheit je nach verschiedenen Anwendungsanforderungen liefern. Diese Reinheitsstufen passen zu verschiedenen Anwendungsfällen wie elektronischen Materialien, Halbleiter-Sputtertargets, Vakuumbeschichtung, kryogener Forschung und hochreiner Legierungsrohstoffe.

ReinheitsgradKupferreinheitTypische ProdukteTypische Anwendungen
5N Kupfer99.999%Hochreine Kupferblech, Streifen, Barren und StabElektronische Werkstoffe, Verdampfungsbeschichtungsmaterialien, Displaybeschichtungen und Forschungsmaterialien
6N-Kupfer99.9999%Hochreine Kupferblech, Barren, Zielrohling und Cu-ZielHalbleiter-Sputtertargets, IC-Materialien, PVD-Beschichtung
7N-Kupfer99.99999%7N Kupferblech, 7N Kupferstreifen, Ziel-BlankFortschrittliche Halbleiter-Sputtertargets, fortschrittliche elektronische Materialien, Dünnschichtabscheidungsmaterialien
8N-Kupfer99.999999%Projektbasiertes ultra-reines KupfermaterialKryogene Forschung, supraleitende Materialien, Quantenforschung, spezialisierte Halbleiterprojekte

Hochreine Kupferprodukte

Chalco bietet eine Vielzahl hochreiner Kupferproduktformen an, die hochreine Rohstoffe, Zielrohstoffe, Kupfer- und Kupferlegierungs-Sputtertargets sowie Vakuumabscheidungsmaterialien abdecken. Produkte können basierend auf Reinheitsgrad, Abmessungen, Form, Oberflächenzustand und Testanforderungen angepasst werden.

Hochreine Kupferblech

Note: 5N, 6N, 7N, 8N

Abmessungen: Dicke 0,1–50 mm

Anwendungen: Halbleiter-Zielrohlinge, elektronische Werkstoffe, präzise bearbeitete Bauteile, Dünnschichtabscheidungsmaterialien

Hochreine Kupferblech
Hochreiner Kupferstreifen

Hochreiner Kupferstreifen

Note: 5N, 6N, 7N

Abmessungen: Dicke 0,01–3 mm, Breite 5–300 mm; erhältlich in Coil- oder Cut-to-Length-Form

Anwendungsbereiche: elektronische Werkstoffe, Displaybeschichtungen, Vakuumabscheidungsmaterialien, hochreine Bearbeitungsmaterialien

Hochreine Kupferbarren

Note: 5N, 6N, 7N, projektbasiertes 8N

Abmessungen: Durchmesser Φ20–Φ400 mm; Gewicht und Form anpassbar

Anwendungen: Umschmelzen, hochreine Legierungsrohstoffe, Herstellung von Kupfer-Zielrohlingen, Herstellung von Halbleitermaterialien

Hochreine Kupferbarren
Hochreine Kupferdraht

Hochreine Kupferdraht

Note: 5N, 6N, projektbasiert 7N / 8N

Maße: Durchmesser Φ0,01–3 mm; Spulenlänge und Verpackung anpassbar

Anwendungen: elektronische Materialien, kryogene Systeme, supraleitfähige Geräte, Forschungsmaterialien

Kupfer-Sputterziele

Qualität: Hochreine Cu, CuMn, Cu Legierung

Abmessungen: 2–12 Zoll, Dicke 3–20 mm; erhältlich als planare Ziele, gebundene Ziele oder individuelle Konfigurationen

Anwendungsbereiche: Halbleiter-PVD, integrierte Schaltkreise, Kupferverbindungen, Display-Beschichtung, Micro-OLED

Kupfer-Sputterziele

Eigenschaften von hochreinem Kupfer

Hochreines Kupfer weist eine hohe elektrische Leitfähigkeit, ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit, gute Duktilität und stabile chemische Eigenschaften auf, was es für Halbleiter-Sputterziele, elektronische Werkstoffe, Bindungsdrähte, Vakuumabscheidung, Wärmemanagement und hochreine Legierungsrohstoffe geeignet macht. Für Verbindungsanforderungen auf Gehäuseebene jenseits des hochreinen Kupfermaterials liefert Chalco auch Die-to-Package-Bindungsmaterialien, darunter Halbleiterverbindungsdraht und Halbleiterbindungsbänder.

  • Hohe elektrische Leitfähigkeit: Kupfer mit hoher Reinheit erreicht typischerweise eine elektrische Leitfähigkeit von über 100 % IACS, wobei einige sauerstofffreie Kupfer ≥101,5 % IACS erreichen – ideal für Kabel, Sammelschienen, elektronische Steckverbinder und halbleiterbezogene Materialien.
  • Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit: Hochreines Kupfer hat eine Wärmeleitfähigkeit von etwa 393–401 W/(m·K), geeignet für Kühlkörper, Wärmetauscher, elektronische Wärmemanagementkomponenten und hochleitfähige Präzisionsteile.
  • Gute Duktilität und Verarbeitbarkeit: Hochreines Kupfer bietet eine ausgezeichnete Plastizität und Duktilität, was das Walzen, Ziehen, Biegen, Prägen, Schmieden und Präzisionsbearbeitung ermöglicht – ideal für die Herstellung von Kupferfolie, Draht, Streifen, Blech- und Zielrohlingen.
  • Niedriger Verunreinigungsgehalt: Verunreinigungen wie Fe, Si, Ag, S, Cl, O und C können streng kontrolliert werden, um ihre Auswirkungen auf elektrische Leitfähigkeit, Wärmeleitfähigkeit, Duktilität und Materialstabilität zu minimieren.
  • Einheitliche Mikrostruktur: Dichte innere Struktur mit homogener Kornverteilung und minimalen intermetallischen Einschlüssen – geeignet für Halbleiterkupfer-Sputtertargets, Zielrohlinge, Verdampfungsbeschichtungsmaterialien und hochreine elektronische Werkstoffe.
  • Rostheitsbeständigkeit: Hochreines Kupfer zeigt eine gute Korrosionsbeständigkeit unter atmosphärischen Bedingungen, Süßwasser, bestimmten Meerwasserumgebungen und nicht oxidierenden Säuren – ideal für Elektronik, Energieversorgung, Schiffbau und langfristig stabile Anwendungen.
  • Chemische Stabilität: Hochreines Kupfer bleibt unter normalen atmosphärischen Bedingungen, Süßwasser und den meisten nicht stark oxidierenden Umgebungen stabil; es ist jedoch nicht geeignet für längere Exposition gegenüber Salpetersäure, heißer konzentrierter Schwefelsäure oder stark korrosiven ammoniakbasierten Medien.
  • Hervorragende Oberflächenqualität: Oxidation, Ölverunreinigung, Kratzer und Partikelrückstände können durch Reinigung, Trocknen und Reinigen der Verpackung minimiert werden – wodurch sie für Kupfersputterziele, Verdunstungsmaterialien und präzise elektronische Anwendungen geeignet ist.

Wichtige Anwendungen von hochreinem Kupfer

Anwendungen in der Halbleiterindustrie

Halbleiter-Sputterziele

Hochreines Kupfer wird in Kupfer-Sputter-Zielen, CuMn-Zielen und Kupfer-Zielrohlingen verwendet, die für Kupferverbindungen, Saatschichten und physikalische Dampfabscheidungsprozesse (PVD) in der Chipherstellung geeignet sind.

Halbleiter-Sputterziele
 Materialien für integrierte Schaltkreise

Materialien für integrierte Schaltkreise

Hochreines Kupfer dient als Verbindungsmaterial, elektronische Steckverbinder und hochreine leitfähige Bauteile in integrierten Schaltkreisen – ideal für präzise elektronische Bauelemente und hochzuverlässige elektrische Verbindungen.

Anzeige- und Speichergeräte

Hochreine Kupfer-Sputtertargets werden bei der Herstellung von Flüssigkristall-Displays, Mikro-OLEDs, Informationsspeichergeräten, Laserspeicher und anderen funktionalen Dünnschichtmaterialien verwendet.

Anzeige- und Speichergeräte
Fortschrittliche Verpackungsmaterialien:

Fortschrittliche Verpackungsmaterialien

Hochreines Kupfer wird in ausgewählten fortschrittlichen Verpackungsverbindungen, Kupfersäulen, leitfähigen Strukturen und hochreiner elektronischer Materialien verwendet – was die Grundlage für elektrische Leitung und Wärmemanagement in der Verpackung bildet.

Anwendungen in anderen Bereichen

  • Hochreiner Kupferdraht: Mit ausgezeichneter elektrischer Leitfähigkeit und Duktilität wird er in elektronischen Verbindungen, hochauflösenden Audiokabeln, präzisen Signalübertragungsleitungen und bestimmten kryogenen leitfähigen Materialien verwendet.
  • Vakuumverdampfungsbeschichtungsmaterialien: Hochreine Kupfergranulate, -stücke und Verdampfungsquellen werden in der Vakuumverdampfung, optischen Beschichtungen, Sensorbeschichtungen und Forschungsdeposition verwendet.
  • Neue Energieanwendungen: Hochreines Kupfer wird in Elektrofahrzeugen, Batteriemanagementsystemen, Photovoltaikmodulen, Windkraftanlagen und hocheffizienten Stromübertragungskomponenten eingesetzt.
  • Kryogene Supraleitungs- und Forschungssysteme: 6N, 7N und projektbasierte 8N-ultrareine Kupfersysteme werden in kryogener Forschung, supraleitenden Geräten, Quantenforschung und fortschrittlichen experimentellen Materialien eingesetzt.
  • Thermomanagementkomponenten: Dank ihrer hervorragenden Wärmeleitfähigkeit wird hochreines Kupfer in Kühlkörpern, Wärmetauschern, elektronischen Wärmemanagementteilen und hochleitfähigen Präzisionskomponenten verwendet.
  • Rohstoffe für hochreine Legierungen: Hochreines Kupfer dient als Rohstoff für Kupferlegierungsbarren, fortschrittliche elektronische Legierungen, Forschungsmaterialien und spezielle funktionale Werkstoffe.

Vergleich der Verunreinigungskontrolle bei hochreinem Kupfer

Der Wert von hochreinem Kupfer liegt nicht nur im Kupfergehalt, sondern auch in der präzisen Kontrolle von Spurenverunreinigungen wie Ag, S, Fe, Ni, Pb und Si. Mit steigender Reinheit von 4N OFC auf 6N und 7N sinken die Verunreinigungsniveaus erheblich, was es für Halbleiter-Sputterziele, elektronische Materialien, Vakuumabscheidung und fortschrittliche wissenschaftliche Forschung besser geeignet macht.

In 7N hochreinem Kupfer werden die meisten metallischen Verunreinigungen auf <0.01 ppm levels, with significantly lower concentrations of Ag, S, Fe, Ni, and Pb compared to standard 4N OFC-Kupfer. For copper sputtering targets, target blanks, evaporation materials, and high purity electronic materials, this stringent impurity control enhances material purity, film stability, and batch consistency.

Verunreinigungselement7N-Kupfer6N-Kupfer4N OFC-Kupfer
Ag0,03 ppm0,25 ppm15,0 ppm
S<0.01 ppm<0,05 ppm6,0 ppm
Fe<0.01 ppm<0,05 ppm0,9 ppm
Na<0.01 ppm<0,02 ppm0,04 ppm
K<0.01 ppm<0,02 ppm0,05 ppm
Al<0.01 ppm<0,05 ppm0,05 ppm
Cr<0.01 ppm<0,05 ppm0,1 ppm
Ni<0.01 ppm<0.07 ppm1,0 ppm
Pb<0.01 ppm<0,05 ppm0,3 ppm
Si0,02 ppm<0,05 ppm0,3 ppm
As<0.01 ppm<0.01 ppm0,62 ppm
Sb<0.01 ppm<0,05 ppm0,3 ppm
Bi<0.01 ppm<0.005 ppm0,045 ppm

In 7N hochreinem Kupfer werden die meisten metallischen Verunreinigungen auf <0.01 ppm levels, with significantly lower concentrations of Ag, S, Fe, Ni, and Pb compared to standard 4N OFC-Kupfer. For copper sputtering targets, target blanks, evaporation materials, and high purity electronic materials, this stringent impurity control enhances material purity, film stability, and batch consistency.

Hochreines Kupfer vs. hochreines Silber

Sowohl hochreines Kupfer als auch hochreines Silber sind wichtige hochreine Metalle, die in elektronischen Materialien, Vakuumabscheidungen, Sputterzielen, leitfähigen Materialien und fortgeschrittenen wissenschaftlichen Forschungsanwendungen verwendet werden. Beide weisen eine ausgezeichnete elektrische und thermische Leitfähigkeit auf, unterscheiden sich jedoch in Kosten, Materialstabilität, Anwendungsfokus und Beschaffungsaspekten.

In Projekten mit Halbleiterzielen und elektronischen Materialien eignet sich hochreines Kupfer besser für Kupferverbindungen, Kupferzielrohlinge, Kupfer-Sputtertargets und hochreine leitfähige Materialien, während hochreines Aluminiumbesser für leitfähige Dünnschichten, Edelmetallbeschichtungen, Aluminiumverdampfungsmaterialien und spezialisierte elektronische Materialanwendungen geeignet ist.

Chalco kann maßgeschneiderte Lieferungen von hochreinem Kupfer, hochreinem Silber und anderen hochreinen Metallen anbieten, basierend auf Reinheitsqualität, Produktform, Maßzeichnungen, Inspektionsdokumentation und Anwendungsanforderungen.

VergleichsobjektHochreines KupferHochreines Silber
Wesentliche VorteileAusgezeichnete elektrische und thermische Leitfähigkeit, relativ niedrigere Kosten und gute MachbarkeitHöhere elektrische Leitfähigkeit, herausragende Wärmeleitfähigkeit und markante Eigenschaften von Edelmetallen
Gemeinsame Reinheitsstufen5N, 6N, 7N und projektspezifisches 8N4N, 5N, 6N oder höhere Reinheit
PrimärformenKupferplatten, Kupferstreifen, Kupferbarren, Kupferdraht, Kupferzielrohlinge, Kupfersputterziele und VerdampfungsmaterialienSilbergranulate, Silberplatten, Silberdraht, Silberziele, Silberverdunstungsmaterialien und Silberlegierungsmaterialien
Anwendungen von HalbleiternKupferverbindungen, Samenschichten, Kupferziele, Cu-Mn-Ziele und PVD-BeschichtungLeitfähige Dünnschichten, Edelmetallbeschichtungen, Verdampfungsbeschichtungen und bestimmte elektronische Verpackungsmaterialien
BeschichtungsanwendungenVakuumverdampfung, Displaybeschichtungen, Sensorbeschichtungen und funktionale DünnschichtenOptische Beschichtungen, leitfähige Filme, reflektierende Filme und funktionale Dünnschichten aus edelmetallischen Metallen
KostenmerkmaleBesser geeignet für Massenproduktion, industrielle Anwendungen und großflächige MaterialversorgungHöhere Materialkosten; besser geeignet für hochwertige oder spezialisierte funktionale Anwendungen
Empfohlene AuswahlHalbleiterziele, elektronische Verbindungen, neue Energie, Wärmemanagement und hochreine LegierungsrohstoffeHochleitfähige Dünnschichten, Edelmetallbeschichtungen, Präzisionselektronik, wissenschaftliche Forschung und spezialisierte Funktionsmaterialien

Produktions- und Verarbeitungsfluss hochreiner Kupfer

Chalco bietet Produktions- und Verarbeitungsunterstützung für hochreine Kupferrohmaterialien, Barren, Platten, Streifen, Zielrohlinge und Sputter-Ziele und umfasst die Reinigung, das Aluminiumschmelzen, Formen, Bearbeiten, Verkleben, Reinigen und Verpackung.

Elektrolytische Reinigung

Elektrolytische Reinigung wird verwendet, um metallische und nichtmetallische Verunreinigungen zu kontrollieren, wodurch hochreine Kupferrohmaterialien bei 5N, 6N, 7N und projektspezifischen 8N-Werten entstehen.

Schmelzen und Gießen

Hochreine Kupfer- und Kupferlegierungsbarren werden durch Vakuumschmelzen, elektromagnetisches Levitationsschmelzen oder kontrollierte Gießverfahren hergestellt, um Einschlüsse, Porosität und sekundäre Verunreinigungen zu minimieren.

Kornveredelung

Thermomechanische Verarbeitung, IPAS-Kornveredelung und andere Techniken werden eingesetzt, um die Mikrostruktur zu kontrollieren und so eine gleichmäßigere Korngröße und innere Struktur zu erreichen.

Walzen und Formen

Hochreine Kupferbarren können weiter zu hochreinen Kupferplatten, Streifen, Folien, Stäben und Zielrohlingen verarbeitet werden, deren Maße und Bedingungen je nach Projektanforderungen anpassbar sind.

CNC-Präzisionsbearbeitung

Drehen, Fräsen, Oberflächenplanarisierung, Bohrung von Bohrlöchern und Oberflächenbearbeitung stehen für Kupfer-Zielrohlinge, Rückenplatten und Zielbaugruppen zur Verfügung.

Zielbindung

Kupferziele können als monolithische Ziele hergestellt oder durch Reibungsrührschweißen, Diffusionsbindung, heißes isostatisches Pressen oder Indiumbindung gebunden werden, die speziell für Halbleiter- und Displaybeschichtungsanlagen entwickelt wurden.

Reinigung und Verpackung

Fertigprodukte werden gereinigt, getrocknet, vakuumverpackt und anti-oxidiert verpackt, begleitet von Chargenetiketten und Qualitätsdokumentationen, die für den Transport und die anschließende Überprüfung hochreiner Materialien geeignet sind.

Hochreine Kupferqualitätsinspektion und Dokumentationsunterstützung

Reinheits- und Unreinheitsanalyse

Cu-Reinheit und wichtige kontrollierte Verunreinigungen wie Ag, S, Cl, O, C, Fe und Si werden nach Produktqualität und Projektanforderungen analysiert, wobei Standardmethoden wie GDMS, LECO und ICP-MS verwendet werden.

Korn- und Kristallorientierungsanalyse

Korngröße, Kristallausrichtung und mikrostrukturelle Gleichmäßigkeit werden für Halbleiterziele, Kupfer-Zielrohlinge und hochreine Kupferplatten bewertet, die 6-Zoll-, 8- und 12-Zoll-Zielprojekte unterstützen.

Qualitätsprüfung der Bindungen

C-Scan-Inspektionen werden für verklebte Ziele, Kupfer-Rückenplatten und Zielbaugruppen durchgeführt, um die Integrität der Bindungsschicht, innere Defekte und die Haftqualität zu bewerten.

Maß- und Oberflächeninspektion

Dicke, Durchmesser, Ebenenheit, Lochpositionen, Oberflächenrauheit und Oberflächenzustand werden auf hochreine Kupferplatten, -bänder, Zielrohlinge und präzisionsgefertigte Bauteile geprüft.

Qualitativ hochwertige Dokumentation

Analysezertifikate (COA), Zusammensetzungsberichte, Verunreinigungsanalyseberichte, Dimensionsinspektionsberichte, Oberflächeninspektionsunterlagen, Chargenrückverfolgbarkeitsetiketten und Verpackungsdokumentation sind verfügbar. Verwandte Materialien beziehen sich außerdem auf Prüfmethoden wie GDMS, LECO, EBSD und C-Scan sowie auf Qualitätskontrollanforderungen für hochreine Kupferziele und Rücklagen.

Wie wählt man das richtige hochreine Kupfer aus?

Auswahl nach Reinheitsgrad

5N hochreines Kupfer eignet sich für elektronische Werkstoffe, Verdampfungsbeschichtungsmaterialien und allgemeine hochreine Bauteile; 6N- und 7N-Qualitäten eignen sich besser für Halbleiterziele, Kupfer-Zielrohlinge und integrierte Schaltungsmaterialien; projektspezifisches 8N-ultrareines Kupfer wird in kryogener Forschung, supraleitenden Bauelementen und spezialisierten Halbleiterprojekten eingesetzt.

Nach Produktform auswählen

Hochreine Kupferplatten und -streifen sind ideal für Walzen, Präzisionsbearbeitung und elektronische Werkstoffe; hochreine Kupferbarren eignen sich zum Umschmelzen und zur Vorbereitung von Zielrohlingen; hochreine Kupferdraht wird für elektronische Verbindungen und kryogene leitfähige Materialien verwendet; Kupfer-Zielrohlinge und Sputterziele sind für PVD-Beschichtungsprozesse konzipiert.

Auswahl nach Anwendungsszenario

Für Halbleiterzielprojekte, die auf Kupfer- oder Cu-Mn-Filmsystemen basieren, sollten 6N- oder 7N-Kupfer- oder Cu-Mn-Ziele mit hoher Reinheit bevorzugt werden. Wenn das erforderliche PVD-Filmsystem aluminiumbasiert statt kupferbasiert ist, sollten Aluminium- und Aluminiumlegierungssputtertargets als separater Materialweg bewertet werden. Für die Vakuumverdampfungsbeschichtung wählen Sie hochreine Kupfergranulate, -stücke oder Verdampfungsrohstoffe; für neue Energie- und Wärmemanagementanwendungen wählen Sie hochleitfähige und hochthermische Leitfähigkeits-Kupferplatten, -streifen, -stäbe oder bearbeitete Bauteile.

Auswahl nach Verunreinigungsanforderungen

Für Projekte mit strengen Grenzwerten für Verunreinigungen wie O, C, S, CL, FE, Si und Ag werden die Teststandards und Berichtsanforderungen im Voraus bestätigt. Halbleiter-, Display- und Forschungsprojekte erfordern typischerweise unterstützende Dokumentationen aus GDMS-, LECO- oder ICP-MS-Analysen.

Auswahl nach Verarbeitungs- und Verpackungsbedarf

Für Produkte, die nachfolgende Bearbeitung, Klebung oder Beschichtung erfordern, geben Sie Anforderungen an Ebenenheit, Oberflächenrauheit, Korngröße, Kristallorientierung, Reinigungsmethode, Vakuumverpackung und Chargenrückverfolgbarkeit fest.

Informationen erforderliche Informationen für hochreine Kupferangebote

Um eine schnelle Zuordnung geeigneter hochreiner Kupferprodukte zu ermöglichen, geben Sie bitte folgende Informationen an:

  • Reinheitsgrad: 5N, 6N, 7N, projektspezifisch 8N
  • Produktform: hochreine Kupferplatten, Band, Barren, Draht, Zielrohling, sputterndes Ziel, Verdampfungsmaterial
  • Maßanforderungen: Dicke, Breite, Länge, Durchmesser, Gewicht, Spulenlänge oder Zeichnungen
  • Anwendungsszenario: Halbleiterziele, integrierte Schaltkreismaterialien, Vakuumbeschichtung, elektronische Verbindungen, neue Energie, kryogene Forschung
  • Zielspezifikationen: 6 Zoll, 8 Zoll, 12 Zoll, planare Zielscheibe, gebundenes Ziel, Rückplattenstruktur
  • Kritische Verunreinigungen: O, C, S, Cl, Fe, Si, Ag, Na, K usw.
  • Erforderliche Testberichte: COA, GDMS, LECO, ICP-MS, EBSD, C-Scan, dimensionsinspektionsbericht
  • Verpackungsmethode: Vakuumverpackung, Anti-Oxidationsverpackung, saubere Verpackung, Coil-Verpackung oder maßgefertigte Verpackung
  • Bestellmenge: Probentest, Kleinchargen-Validierung oder Mengenlieferung

Wenn Sie Zeichnungen, technische Spezifikationen, Fotos früherer Proben oder Zielproduktparameter haben, fügen Sie diese bitte hinzu – Chalco kann diese Informationen nutzen, um eine geeignete hochreine Kupferversorgungslösung zu bewerten.

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Häufig gestellte Fragen zu hochreinem Kupfer

Was ist hochreines Kupfer?

Hochreines Kupfer bezeichnet Kupfermaterial mit sehr niedrigem Verunreinigungsgehalt, das üblicherweise in 5N-, 6N-, 7N- und höheren Reinheitsgraden erhältlich ist und sich für Halbleiter-, Elektronik-, Vakuumabscheidung und fortgeschrittene wissenschaftliche Forschungsanwendungen eignet.

Was bedeuten 5N, 6N, 7N und 8N hochreines Kupfer?

5N zeigt 99,999 % Kupferreinheit an, 6N 99,9999 %, 7N 99,99999 % und 8N 99,999999 %. Höhere Reinheit bedeutet einen geringeren Verunreinigungsgehalt.

Kann hochreines Kupfer für Halbleiterziele verwendet werden?

Ja. Hochreines Kupfer wird in Kupfer-Sputter-Zielen, Cu-Mn-Zielen, Kupfer-Zielrohlingen und Rückplattenbaugruppen verwendet, die für Halbleiter-PVD, Kupferverbindungen und Saatschichtabscheidungsprozesse geeignet sind.

Welche gängigen Produktformen von hochreinem Kupfer sind üblich?

Gängige Formen sind hochreine Kupferplatten, Streifen, Barren, Stäbe, Draht, Folie, Zielrohlinge, sputternde Ziele und Verdampfungsbeschichtungsmaterialien.

Was sind die Standardgrößen für hochreine Kupferziele?

Gängige Kupferzielgrößen sind 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll und 12 Zoll, wobei benutzerdefinierte Durchmesser, Dicken, Lochmuster und Trägerplattenstrukturen gemäß Zeichnungen verfügbar sind.

Welche Testberichte können für hochreines Kupfer bereitgestellt werden?

COA, GDMS, LECO, ICP-MS, EBSD, C-Scan, dimensionsinspektionsberichte und Oberflächeninspektionsunterlagen können je nach Projektanforderungen bereitgestellt werden.

Welche Informationen werden benötigt, um ein Angebot für hochreine Kupferqualität zu beantragen?

Wir empfehlen, Reinheitsqualität, Produktform, Maßzeichnungen, Anwendungsszenario, Anforderungen an kritische Verunreinigungen, erforderliche Testberichte, Verpackungsmethode und Bestellmenge bereitzustellen.

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